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project:hv

Unterschiede

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project:hv [2012-08-22 21:21]
109.192.98.64 angelegt
project:hv [2012-08-22 21:33] (aktuell)
109.192.98.64
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 Umfeld: NEC K2487 Umfeld: NEC K2487
 Datenblatt zu 2SK2487: Datenblatt zu 2SK2487:
-SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE+ 
 +<​code>​ 
 +  ​SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
  
   DESCRIPTION   DESCRIPTION
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   for high voltage switching applications.   for high voltage switching applications.
   FEATURES   FEATURES
-  ​· Low On-Resistance+  ​· ​Low On-Resistance
      RDS (on) = 1.6  (VGS = 10 V, ID = 4.0 A)      RDS (on) = 1.6  (VGS = 10 V, ID = 4.0 A)
-  ​· Low Ciss Ciss = 2 100 pF TYP. +  ​· ​Low Ciss Ciss = 2 100 pF TYP. 
-  ​· High Avalanche Capability Ratings +  ​· ​High Avalanche Capability Ratings 
-  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 Â°C)+  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 Ã‚°C)
   Drain to Source Voltage ​                    ​VDSS ​       900     V   Drain to Source Voltage ​                    ​VDSS ​       900     V
-  Gate to Source Voltage ​                     VGSS        ​±30 ​    V +  Gate to Source Voltage ​                     VGSS        ​±30 ​    V 
-  Drain Current (DC)                          ID (DC)    ​±8.0     A +  Drain Current (DC)                          ID (DC)    ​±8.0     A 
-  Drain Current (pulse)* ​                     ID (pulse)  ​±20 ​    A +  Drain Current (pulse)* ​                     ID (pulse)  ​±20 ​    A 
-  Total Power Dissipation (Tc = 25 Â°C)        PT1         ​140 ​    W +  Total Power Dissipation (Tc = 25 Ã‚°C)        PT1         ​140 ​    W 
-  Total Power Dissipation (TA = 25 Â°C)        PT2         ​3.0 ​    W +  Total Power Dissipation (TA = 25 Ã‚°C)        PT2         ​3.0 ​    W 
-  Channel Temperature ​                        ​Tch ​        ​150 ​    Â°C +  Channel Temperature ​                        ​Tch ​        ​150 ​    Ã‚°C 
-  Storage Temperature ​                        ​Tstg ​   ​­55 ​to +150 Â°C+  Storage Temperature ​                        ​Tstg ​   ​­55 ​to +150 Ã‚°C
   Single Avalanche Current** ​                 IAS         ​8.0 ​    A   Single Avalanche Current** ​                 IAS         ​8.0 ​    A
   Single Avalanche Energy** ​                  ​EAS ​        ​264 ​   mJ   Single Avalanche Energy** ​                  ​EAS ​        ​264 ​   mJ
-  *   ​PW ​ 10 Âµs, Duty Cycle  1 % +  *   ​PW ​ 10 Ã‚µs, Duty Cycle  1 % 
-  ** Starting Tch = 25 Â°C, RG = 25 , VGS = 20 V  0+  ** Starting Tch = 25 Ã‚°C, RG = 25 , VGS = 20 V  0
  
  
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   l High Voltage ​                  : VCBO = 1700 V   l High Voltage ​                  : VCBO = 1700 V
   l Low Saturation Voltage ​        : VCE (sat) = 3 V (Max.)   l Low Saturation Voltage ​        : VCE (sat) = 3 V (Max.)
-  l High Speed                     : tf (2) = 0.1 Âµs (Typ.) +  l High Speed                     : tf (2) = 0.1 Ã‚µs ​(Typ.) 
-  MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)+  MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
             CHARACTERISTIC ​                 SYMBOL ​       RATING ​ UNIT             CHARACTERISTIC ​                 SYMBOL ​       RATING ​ UNIT
   Collector-Base Voltage ​                     VCBO          1700    V   Collector-Base Voltage ​                     VCBO          1700    V
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   Base Current ​                                 IB           ​14 ​    A   Base Current ​                                 IB           ​14 ​    A
   Collector Power Dissipation ​                 PC           ​220 ​   W   Collector Power Dissipation ​                 PC           ​220 ​   W
-  Junction Temperature ​                         Tj          150    ​°C +  Junction Temperature ​                         Tj          150    ​°C 
-  Storage Temperature Range                    Tstg       ​-55~150  ​°C+  Storage Temperature Range                    Tstg       ​-55~150  ​°C
  
   ------------   ------------
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   2 Collector   2 Collector
   3 Emitter   3 Emitter
 +</​code>​
  
project/hv.txt · Zuletzt geändert: 2012-08-22 21:33 von 109.192.98.64