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friedhof:hv

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 Umfeld: NEC K2487 Umfeld: NEC K2487
 Datenblatt zu 2SK2487: Datenblatt zu 2SK2487:
-SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE+ 
 +<code> 
 +  SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
  
   DESCRIPTION   DESCRIPTION
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   for high voltage switching applications.   for high voltage switching applications.
   FEATURES   FEATURES
-  Â· Low On-Resistance+  Ã‚· Low On-Resistance
      RDS (on) = 1.6  (VGS = 10 V, ID = 4.0 A)      RDS (on) = 1.6  (VGS = 10 V, ID = 4.0 A)
-  Â· Low Ciss Ciss = 2 100 pF TYP. +  Ã‚· Low Ciss Ciss = 2 100 pF TYP. 
-  Â· High Avalanche Capability Ratings +  Ã‚· High Avalanche Capability Ratings 
-  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 Â°C)+  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 Ã‚°C)
   Drain to Source Voltage                     VDSS        900     V   Drain to Source Voltage                     VDSS        900     V
-  Gate to Source Voltage                      VGSS        Â±30     V +  Gate to Source Voltage                      VGSS        Ã‚±30     V 
-  Drain Current (DC)                          ID (DC)    Â±8.0     A +  Drain Current (DC)                          ID (DC)    Ã‚±8.0     A 
-  Drain Current (pulse)*                      ID (pulse)  Â±20     A +  Drain Current (pulse)*                      ID (pulse)  Ã‚±20     A 
-  Total Power Dissipation (Tc = 25 Â°C)        PT1         140     W +  Total Power Dissipation (Tc = 25 Ã‚°C)        PT1         140     W 
-  Total Power Dissipation (TA = 25 Â°C)        PT2         3.0     W +  Total Power Dissipation (TA = 25 Ã‚°C)        PT2         3.0     W 
-  Channel Temperature                         Tch         150     Â°C +  Channel Temperature                         Tch         150     Ã‚°C 
-  Storage Temperature                         Tstg    Â­55 to +150 Â°C+  Storage Temperature                         Tstg    Ã‚­55 to +150 Ã‚°C
   Single Avalanche Current**                  IAS         8.0     A   Single Avalanche Current**                  IAS         8.0     A
   Single Avalanche Energy**                   EAS         264    mJ   Single Avalanche Energy**                   EAS         264    mJ
-  *   PW  10 Âµs, Duty Cycle  1 % +  *   PW  10 Ã‚µs, Duty Cycle  1 % 
-  ** Starting Tch = 25 Â°C, RG = 25 , VGS = 20 V  0+  ** Starting Tch = 25 Ã‚°C, RG = 25 , VGS = 20 V  0
  
  
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   l High Voltage                   : VCBO = 1700 V   l High Voltage                   : VCBO = 1700 V
   l Low Saturation Voltage         : VCE (sat) = 3 V (Max.)   l Low Saturation Voltage         : VCE (sat) = 3 V (Max.)
-  l High Speed                     : tf (2) = 0.1 Âµs (Typ.) +  l High Speed                     : tf (2) = 0.1 Ã‚µs (Typ.) 
-  MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)+  MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
             CHARACTERISTIC                  SYMBOL        RATING  UNIT             CHARACTERISTIC                  SYMBOL        RATING  UNIT
   Collector-Base Voltage                      VCBO          1700    V   Collector-Base Voltage                      VCBO          1700    V
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   Base Current                                  IB           14     A   Base Current                                  IB           14     A
   Collector Power Dissipation                  PC           220    W   Collector Power Dissipation                  PC           220    W
-  Junction Temperature                          Tj          150    Â°C +  Junction Temperature                          Tj          150    Ã‚°C 
-  Storage Temperature Range                    Tstg       -55~150  Â°C+  Storage Temperature Range                    Tstg       -55~150  Ã‚°C
  
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   2 Collector   2 Collector
   3 Emitter   3 Emitter
 +</code>
  
friedhof/hv.txt · Zuletzt geändert: 2020-07-20 11:14 von neos